- технология МОП-структур
- Microelectronics: MOS processing, MOS technology
Универсальный русско-английский словарь. Академик.ру. 2011.
Универсальный русско-английский словарь. Академик.ру. 2011.
технология МОП-структур с двухуровневыми поликремниевыми затворами — MOP darinių su dvipakopėmis polikristalinio silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double polysilicon gate MOS process vok. Doppel Poly Si Gate MOS Technik, f rus. технология МОП структур с… … Radioelektronikos terminų žodynas
технология МОП-структур с металлическими затворами — MOP darinių su metalinėmis užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal gate MOS technique vok. Metallgate MOS Technik, f rus. технология МОП структур с металлическими затворами, f pranc. technologie de… … Radioelektronikos terminų žodynas
технология МОП-структур с плавающими кремниевыми затворами — MOP darinių su plūdriosiomis silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon floating gate MOS process vok. MOS Technik mit schwebendem Siliziumgate, f rus. технология МОП структур с плавающими… … Radioelektronikos terminų žodynas
технология МОП-структур с поликристаллическими кремниевыми затворами — MOP darinių su polikristalinio silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polysilicon gate MOS process vok. Polysiliziumgate MOS Technologie, f rus. технология МОП структур с поликристаллическими… … Radioelektronikos terminų žodynas
технология МОП-структур с кремниевыми затворами — MOP darinių su silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon gate MOS process; silicon gate MOS technology vok. Siliziumgate MOS Technik, f rus. технология МОП структур с кремниевыми затворами, f… … Radioelektronikos terminų žodynas
технология МОП-структур с самосовмещёнными поликремниевыми затворами — MOP darinių su susitapatinančiomis polikristalinio silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned polysilicon gate MOS process vok. selbstjustierende MOS Polysiliziumtechnik, f rus. технология… … Radioelektronikos terminų žodynas
технология МОП-структур с самосовмещёнными затворами и толстым оксидным слоем — MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis ir storu oksidu technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned thick oxide MOS process vok. MOS Technologie mittels selbstjustierten Gates und dicker Oxidschicht, f rus … Radioelektronikos terminų žodynas
технология МОП-структур с самосовмещёнными затворами — MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self registered gate MOS process vok. selbstjustierte Gate MOS Technologie, f rus. технология МОП структур с самосовмещёнными… … Radioelektronikos terminų žodynas
технология МОП-структур с одним поликремниевым слоем — MOP darinių su vienu polikristalinio silicio sluoksniu technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. single layer polysilicon MOS process vok. MOS Einschichtpolysiliziumtechnik, f rus. технология МОП структур с одним… … Radioelektronikos terminų žodynas
технология МОП-структур с самосовмещённой металлизацией — susitapatinančiosios metalizacijos MOP darinių technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal self aligned MOS process vok. selbstjustierende Metallisierungsprozeß MOS Technik, f rus. технология МОП структур с… … Radioelektronikos terminų žodynas
технология производства высококачественных МОП-структур — kokybiškųjų MOP darinių technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high performance MOS technology vok. Hochleistungs MOS Technologie, f rus. технология производства высококачественных МОП структур, f pranc. technologie… … Radioelektronikos terminų žodynas